【據(jù)美國斯坦福大學網站2019年4月25日報道】美國斯坦福大學的科研人員將聚合物基氧化還原晶體管與導電橋存儲器(CBM)進行了集成，制成了研究人員稱為“離子浮柵內存”(IFG)的非易失性、可尋址的突觸存儲器。這種人工突觸的工作原理類似電池，通過調高或調低兩個端子間的電力流動來模擬人腦神經元的學習過程，并允許進行并行編程。通過稀釋絕緣通道中的導電聚合物，研究人員可以將突觸權重的讀取電流降到10納安以下。研究人員利用這種IFG構造了一個3X3的人工突觸陣列進行驗證，結果顯示其性能超出預期，能效要比現(xiàn)有計算技術高超一個數(shù)量級，氧化還原晶體管經受10億次“讀寫”操作后性能未發(fā)生任何變化，并能支持超過1兆赫的“讀寫”頻率。研究人員還對一個由1024X1024IFG陣列構成的數(shù)字加速器的性能進行仿真評估，結果顯示，與目前的14/16納米的8位SDRAM技術相比，能效提升476倍、延遲降低16倍、面積減小9.5倍。該研究得到了美國桑迪亞國家實驗室、美國能源部、美國國家科學基金會等機構的贊助，相關論文《Parallel programming of an ionic floating-gate memory array for scalable neuromorphic computing》已在Science上發(fā)表。